CMP，全稱 Chemical Mechanical Polishing 或 Chemical Mechanical Planarization，中文通常稱為化學(xué)機(jī)械拋光或化學(xué)機(jī)械平坦化，是半導(dǎo)體制造中最重要的表面精密加工技術(shù)之一。它通過(guò)化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械摩擦協(xié)同作用，對(duì)晶圓表面進(jìn)行選擇性材料去除，從而獲得高平坦度、低粗糙度和低損傷表面。

與傳統(tǒng)機(jī)械拋光相比，CMP最大的特點(diǎn)并不是“磨得更細(xì)"，而是讓材料表面先發(fā)生受控化學(xué)反應(yīng)，再通過(guò)機(jī)械作用不斷去除反應(yīng)生成層。正是這種“化學(xué)軟化—機(jī)械去除—新鮮表面再次反應(yīng)"的循環(huán)，使CMP可以在較溫和的機(jī)械載荷下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定材料去除。

CMP中的化學(xué)作用是什么？

CMP使用的拋光液 Slurry 通常包含磨料顆粒以及針對(duì)特定材料設(shè)計(jì)的化學(xué)組分，例如氧化劑、pH調(diào)節(jié)劑、絡(luò)合劑、緩蝕劑或表面活性劑等。不同材料體系的反應(yīng)機(jī)理并不相同。

以常見(jiàn)CMP機(jī)理為例，化學(xué)組分首先與晶圓表面發(fā)生氧化、水解、絡(luò)合或其他表面反應(yīng)，使最外層材料轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械強(qiáng)度更低、更加容易去除的反應(yīng)層。對(duì)于銅CMP，化學(xué)體系需要兼顧氧化、絡(luò)合和腐蝕抑制；對(duì)于Si、SiO?、SiC或GaN等材料，則需要根據(jù)其表面化學(xué)性質(zhì)設(shè)計(jì)相應(yīng)Slurry體系。

因此，CMP中的“化學(xué)"并不是單純依靠腐蝕把材料溶解掉，而是通過(guò)調(diào)控晶圓表面狀態(tài)，為后續(xù)機(jī)械去除創(chuàng)造條件。

CMP中的機(jī)械作用是什么？

機(jī)械作用主要來(lái)自拋光墊 Pad、磨料顆粒以及晶圓之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。Carrier Head向晶圓施加受控壓力，Platen帶動(dòng)拋光墊旋轉(zhuǎn)，晶圓本身通常也具有旋轉(zhuǎn)或其他相對(duì)運(yùn)動(dòng)。Slurry中的納米或微米級(jí)磨料顆粒進(jìn)入晶圓與Pad界面，對(duì)已經(jīng)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的表面層產(chǎn)生微觀剪切和磨削作用。

值得注意的是，機(jī)械作用和化學(xué)作用并不是兩個(gè)相互獨(dú)立的過(guò)程。機(jī)械摩擦不斷暴露新的材料表面，而新的表面又繼續(xù)與Slurry發(fā)生反應(yīng)，因此整個(gè)CMP實(shí)際上是一個(gè)持續(xù)循環(huán)的化學(xué)—機(jī)械耦合過(guò)程。

為什么CMP適合半導(dǎo)體材料制備？

半導(dǎo)體制造對(duì)表面質(zhì)量要求很高。晶圓不僅需要低粗糙度，還需要控制TTV、局部平坦度、劃痕、顆粒、殘余應(yīng)力以及亞表面損傷。

如果依靠機(jī)械研磨獲得較高去除率，往往需要較大的載荷或較強(qiáng)磨削作用，從而增加劃痕、裂紋和損傷層風(fēng)險(xiǎn)。CMP通過(guò)化學(xué)反應(yīng)降低表面層的有效去除難度，使材料能夠在相對(duì)較溫和的機(jī)械條件下被移除，因此非常適合Si、SiO?、Cu、GaAs、InP、SiC、GaN等半導(dǎo)體和功能材料的最終表面加工。

在CMP研發(fā)過(guò)程中，對(duì)壓力、轉(zhuǎn)速、Slurry、Pad以及樣品運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行穩(wěn)定控制非常重要。Logitech Orbis CMP System正是針對(duì)研發(fā)與pilot production環(huán)境設(shè)計(jì)的CMP平臺(tái)，可處理die、partial wafer以及最高200 mm晶圓，并支持不同carrier和樣品安裝方式。對(duì)于高校、科研院所及半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室而言，Orbis可以用于研究不同材料體系下壓力、盤(pán)速、Carrier轉(zhuǎn)速、Pad以及Slurry之間的耦合關(guān)系，并通過(guò)可下載的工藝數(shù)據(jù)對(duì)不同參數(shù)組合進(jìn)行比較和優(yōu)化。其600 mm Platen、0–160 rpm盤(pán)速以及獨(dú)立Carrier運(yùn)動(dòng)能力，也使其更接近真實(shí)CMP工藝開(kāi)發(fā)環(huán)境。

CMP和平面拋光有什么區(qū)別

“平面拋光"更多描述加工結(jié)果或幾何目標(biāo)，即希望獲得較平整、較光滑的表面；實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)可以采用純機(jī)械拋光，也可以使用化學(xué)輔助拋光。

CMP則強(qiáng)調(diào)特定的化學(xué)—機(jī)械協(xié)同加工機(jī)制，并且更加關(guān)注全局與局部平坦化能力。在集成電路制造中，晶圓表面往往同時(shí)存在不同高度、不同材料和復(fù)雜圖形結(jié)構(gòu)，CMP需要優(yōu)先去除凸起區(qū)域，使整個(gè)晶圓逐漸趨于平坦，因此“Planarization"是CMP非常重要的技術(shù)特征。

CMP為什么能夠?qū)崿F(xiàn)低損傷加工？

CMP低損傷的核心原因，是化學(xué)反應(yīng)降低了材料表面層的機(jī)械去除難度，從而減少了對(duì)高載荷和強(qiáng)磨削作用的依賴。

傳統(tǒng)Grinding或Lapping主要依靠磨粒直接切削和斷裂材料，容易在硬脆材料中形成較深的亞表面裂紋。而CMP通過(guò)控制Slurry化學(xué)性質(zhì)、磨料尺寸、壓力和相對(duì)速度，讓材料主要在極淺表層發(fā)生反應(yīng)并被逐步移除，因此可以顯著降低深層機(jī)械損傷的風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)然，“CMP等于零損傷"并不準(zhǔn)確。如果壓力過(guò)高、磨料團(tuán)聚、Pad狀態(tài)異常或Slurry控制不當(dāng)，同樣可能出現(xiàn)Scratch、Pit、Dishing、Erosion等缺陷。因此，高質(zhì)量CMP的本質(zhì)并不是簡(jiǎn)單降低壓力，而是建立化學(xué)反應(yīng)速度與機(jī)械去除速度之間穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)平衡。

總體而言，CMP是一種高度綜合的表面工程技術(shù)?；瘜W(xué)作用負(fù)責(zé)改變材料表面狀態(tài)，機(jī)械作用負(fù)責(zé)持續(xù)去除反應(yīng)層，而設(shè)備、Pad、Slurry和工藝參數(shù)共同決定最終結(jié)果。正是這種精確可控的化學(xué)—機(jī)械協(xié)同機(jī)制，使CMP成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造和高質(zhì)量材料制備中不可替代的核心工藝。